制造商   

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号   

HN1B01F-GR(TE85L,F

晶体管类型    NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（值）   150mA

电压 - 集射极击穿（值）  50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（值）       300mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（值）  100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（值）   200 @ 2mA，6V

功率 - 值     300mW

频率 - 跃迁  120MHz

工作温度       125°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      SC-74，SOT-457

供应商器件封装    SM6

公司简介：
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