制造商  

ON Semiconductor

制造商零件编号 

NTR1P02LT1G

FET 类型      P 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）     20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)  1.3A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）   2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）  220 毫欧 @ 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（值） 1.25V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 5.5nC @ 4V

Vgs（值）   ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）      225pF @ 5V

FET 功能      -

功率耗散（值） 400mW（Ta）

工作温度      -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型      表面贴装型

供应商器件封装  SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳     TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

公司简介：

深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商，服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家品牌，可订购500多万种在线产品，为客户提供一站式采购平台，欢迎垂询！