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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 TC6320TG-G
发布时间: 2020/10/21 15:40:53 | 42 次阅读
制造商
Microchip Technology
制造商零件编号
TC6320TG-G
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 7 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 110pF @ 25V
功率 - 值 -
工作温度 -55°C
~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
公司简介:
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