制造商   

Vishay Siliconix

制造商零件编号   

VP1008B

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    790mA（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）      5 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）  4.5V @ 1mA

Vgs（值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）  150pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（值）    6.25W（Ta）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-39

封装/外壳      TO-205AD，TO-39-3 金属罐

公司简介：

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