一般信息

数据列表       IRL6342PBF;

标准包装      4,000

包装      标准卷带 

零件状态       不適用於新設計

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       HEXFET®

其它名称       IRL6342TRPBF-ND

IRL6342TRPBFTR

SP001572774

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    9.9A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      14.6 毫欧 @ 9.9A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  1.1V @ 10μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    11nC @ 4.5V

Vgs（大值）     ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  1025pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    2.5W（Ta）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    8-SO

封装/外壳      8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

公司简介：

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