一般信息

数据列表       IPx08xN10N3 G;

标准包装      50

包装      管件 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       OptiMOS™

其它名称       IPP086N10N3 G

IPP086N10N3 G-ND

IPP086N10N3G

SP000680840

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    80A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      8.6 毫欧 @ 73A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  3.5V @ 75μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    55nC @ 10V

Vgs（大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  3980pF @ 50V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    125W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 175°C（TJ）

供应商器件封装    PG-TO220-3

封装/外壳      TO-220-3

公司简介：

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