制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

FDS8880

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    11.6A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）      4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）      10 毫欧 @ 11.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）  2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）    30nC @ 10V

Vgs（值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）  1235pF @ 15V

FET 功能       -

功率耗散（值）    2.5W（Ta）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    8-SOIC

封装/外壳      8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

公司简介：

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