制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

FQA6N90C-F109

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       900V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    6A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）      2.3 欧姆 @ 3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）  5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）    40nC @ 10V

Vgs（值）     ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）  1770pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（值）    198W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-3PN

封装/外壳      TO-3P-3，SC-65-3

公司简介：

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