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深圳市昴泽电子有限公司 > 技术资料 > FDS4935BZ 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

FDS4935BZ 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

发布时间: 2020/7/28 18:11:41 | 64 次阅读

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

FDS4935BZ

FET 类型       2 P 沟道(双)

FET 功能       逻辑电平门

漏源电压(Vdss       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    6.9A

不同 IdVgs 时导通电阻(值)      22 毫欧 @ 6.9A10V

不同 Id Vgs(th)(值)  3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)    40nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)  1360pF @ 15V

功率 -      900mW

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      8-SOIC0.154"3.90mm 宽)

供应商器件封装    8-SOIC

 

 

公司简介:

贸泽深圳实业电子分销世界各国ICALTERAXILINXFREESCALEADITIBB)、MAXIMDALLAS)、ISSIIDTCYPRESSRENESASHITACHI)、CONEXANTROCKWELL)、MOTOROLAPHILIPS、等品牌。 产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域,在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。尤其在大规模可编程器件(CPLDFPGAPROM)、高速静态存储器(SRAM)及其它各类存储器(双口RAMFIFO)等单片机嵌入式系统方面极具优势。