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FDS4935BZ 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
发布时间: 2020/7/28 18:11:41 | 64 次阅读
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FDS4935BZ
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 22 毫欧 @ 6.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 1360pF @ 15V
功率 - 值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
公司简介:
贸泽深圳实业电子分销世界各国IC:ALTERA、XILINX、FREESCALE、ADI、TI(BB)、MAXIM(DALLAS)、ISSI、IDT、CYPRESS、RENESAS(HITACHI)、CONEXANT(ROCKWELL)、MOTOROLA、PHILIPS、等品牌。 产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域,在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。尤其在大规模可编程器件(CPLD、FPGA、PROM)、高速静态存储器(SRAM)及其它各类存储器(双口RAM、FIFO)等单片机嵌入式系统方面极具优势。