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NTMS7N03R2G 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
发布时间: 2020/7/28 18:06:49 | 60 次阅读
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
NTMS7N03R2G
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.8A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 23 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 43nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 1190pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 800mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
公司简介:
贸泽深圳实业电子分销世界各国IC:ALTERA、XILINX、FREESCALE、ADI、TI(BB)、MAXIM(DALLAS)、ISSI、IDT、CYPRESS、RENESAS(HITACHI)、CONEXANT(ROCKWELL)、MOTOROLA、PHILIPS、等品牌。 产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域,在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。尤其在大规模可编程器件(CPLD、FPGA、PROM)、高速静态存储器(SRAM)及其它各类存储器(双口RAM、FIFO)等单片机嵌入式系统方面极具优势。