制造商   

Diodes Incorporated

制造商零件编号   

DMN2300UFB4-7B

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    1.3A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）      1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）      175 毫欧 @ 300mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）  950mV @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）    1.6nC @ 4.5V

Vgs（值）     ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）  64.3pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（值）    500mW（Ta）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    X2-DFN1006-3

封装/外壳      3-XFDFN

公司简介：

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