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FGA6560WDF 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
发布时间: 2020/8/6 11:56:17 | 49 次阅读
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FGA6560WDF
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(值) 650V
电流 - 集电极 (Ic)(值) 120A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 180A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(值) 2.3V @ 15V,60A
功率 - 值 306W
开关能量 2.46mJ(开),520μJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 84nC
25°C 时 Td(开/关)值 25.6ns/71ns
测试条件 400V,60A,6 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 110ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装 TO-3PN
公司简介:
贸泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。

