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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FDG8842CZ
发布时间: 2020/8/6 14:28:21 | 56 次阅读
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FDG8842CZ FET
类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V,25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 750mA,410mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 400 毫欧 @ 750mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 1.44nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 120pF @ 10V
功率 - 值 300mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SC-88(SC-70-6)
公司简介:
贸泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。

