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SI4914BDY-T1-GE3 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
发布时间: 2020/9/10 14:17:00 | 38 次阅读
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4914BDY-T1-GE3
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.4A,8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 21 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 10.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) -
功率 - 值 2.7W,3.1W
工作温度 -55°C
~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
公司简介:
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