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深圳市昴泽电子有限公司 > 技术资料 > FGH20N60UFDTU 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

FGH20N60UFDTU 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

发布时间: 2020/9/15 14:14:55 | 41 次阅读

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

FGH20N60UFDTU

IGBT 类型     场截止

电压 - 集射极击穿(值)  600V

电流 - 集电极 (Ic)(值)   40A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)   60A

不同 VgeIc Vce(on)(值)      2.4V @ 15V20A

功率 -      165W

开关能量       380μJ(开),260μJ(关)

输入类型       标准

栅极电荷       63nC

25°C Td(开/关)值     13ns/87ns

测试条件       400V20A10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)       34ns

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       通孔

封装/外壳      TO-247-3

供应商器件封装    TO-247-3

 

公司简介:

深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商,服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家品牌,可订购500多万种在线产品,为客户提供一站式采购平台,欢迎垂询!