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FGH20N60UFDTU 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
发布时间: 2020/9/15 14:14:55 | 41 次阅读
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FGH20N60UFDTU
IGBT 类型 场截止
电压 - 集射极击穿(值) 600V
电流 - 集电极 (Ic)(值) 40A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 60A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(值) 2.4V @ 15V,20A
功率 - 值 165W
开关能量 380μJ(开),260μJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 63nC
25°C 时 Td(开/关)值 13ns/87ns
测试条件 400V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 34ns
工作温度 -55°C
~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247-3
公司简介:
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