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SIA447DJ-T1-GE3 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
发布时间: 2020/9/21 14:28:46 | 41 次阅读
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SIA447DJ-T1-GE3
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Tc)
驱动电压( Rds
On, Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 13.5 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 850mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 80nC
@ 8V
Vgs(值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 2880pF
@ 6V
FET 功能 -
功率耗散(值) 19W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6 单
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6
公司简介:
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