2019年7月24日，新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，在公司快速发展的650V SiC FET硬开关UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项。

新产品的R_DS（on）值分别为30mΩ（UF3C065030T3S）和80mΩ（UF3C065080T3S），采用行业标准的三引脚TO220-3L封装，结合了UnitedSiC自己开发的烧结银（sintered-silver）封装技术，因而具有更强的散热性能。

对于电动汽车充电、光伏逆变器、开关电源、功率因数校正模块、马达驱动和感应加热等应用，设计人员正在寻求以3引脚TO220封装实现更高性能，这些新器件是面向这些应用的理想选择。

这两款全新的SiC FET产品均基于UnitedSiC独特的 “共源共栅”电路配置，其中常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装，以构建常关型SiC FET器件。器件的标准栅极驱动特性允许在现有设计中真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件，设计人员能够以更低的传导和开关损耗实现更高性能，同时具有更强的散热性能和集成的栅极ESD保护。

而对于新设计，UnitedSiC FET可提供更高的开关频率，从而能够实现更高效率，更小尺寸，更低的无源元件（如磁性元件和电容器）成本等显著系统优势。FAST系列器件不仅具有超低栅极电荷，而且在具有类似额定值的任何器件中还可提供佳反向恢复特性。如果与推荐的RC缓冲器一起使用，这些器件非常适合于开关电感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。

UnitedSiCUF3C FAST SiC产品系列现有14种器件，可提供TO247-3L、TO247-4L、TO220-3L和D2PAK7-3L封装，并具备4种1200V和10种650V选项。