制造商

NXP USA Inc.

制造商产品编号

PSMN009-100W,127

包装管件

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）9 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4V @ 1mA

Vgs（大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（大值）300W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-247-3

封装/外壳TO-247-3

漏源电压（Vdss）100V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）214nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）9000pF @ 25V

公司简介：

深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商，服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家品牌，可订购500多万种在线产品，为客户提供一站式采购平台，欢迎垂询！