制造商

onsemi

制造商产品编号

RFD3055LESM9A

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）107 毫欧 @ 8A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）11.3 nC @ 10 V

Vgs（大值）±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）350 pF @ 25 V

FET 功能-

功率耗散（大值）38W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装TO-252AA

封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

公司简介：

深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商，服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家品牌，可订购500多万种在线产品，为客户提供一站式采购平台，欢迎垂询！