SIC MOSFET因其高频高性能表现，广泛应用于高压DCDC转换器和逆变器中。市面上光伏逆变器BOOST升压处会用到1200V的SIC MOSFET，工程师通常会选CREE的C2M0160120D，但由于交期和价格等原因，急需一款高性价的产品进行替代。本文推荐基本半导体的SIC MOSFET B1M160120HC替代CREE的C2M0160120D。

基本半导体作为中国第三代半导体行业领军企业，致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。其1200V SIC MOSFET B1M160120HC拥有低导通内阻，能在更高的开关频率下，通过更低的热损耗实现高效率。以下为B1M160120HC和C2M0160120D重要参数对比：

图1：B1M160120HC和C2M0160120D参数对比

通过以上参数对比，可以看到在漏-源电压（Vds）、导通内阻（Rds）、漏极电流（Id）、工作温度等参数表现上，B1M160120HC与C2M0160120D有同样高性能的表现，满足客户在实际设计中需求。另外，B1M160120HC与C2M0160120D都为TO247-3L封装，pin脚定义完全相同，可以实现Pin-Pin替代。

除了以上参数性能介绍外，B1M160120HC还有以下竞争优势：

1、  国产SIC MOS更有价格优势；

2、  供货交期有保证。