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IPM拓扑智能功率模块,嵌入式驱动和工业驱动

发布时间: 2022/1/19 16:11:49 | 135 次阅读

Vincotech(威科)是 电力电子模块(IGBT模块)解决方案的供应商,20-1B06IPB010RC02-L815A49是Vincotech公司推出的一款智能功率模块(IPM),属于flowIPM 1B (CIP)产品线,采用了IPM (CIP/PIM+PFC)拓扑,可广泛应用于嵌入式驱动和工业驱动等领域。


 

图1 20-1B06IPB010RC02-L815A49封装外形图


该款功率模块的击穿电压为600V,标称芯片电流额定值为10A,存储温度范围为-40℃到+125℃,工作温度范围为-40℃到+(Tjmax-25)℃,其中Tjmax为模块内部各部件 大结温的 小值,此处Tjmax为150℃(注:Tjmax为模块内部各组件 大结温的 小值,有175℃,也有150℃,所以 小值为150℃)。20-1B06IPB010RC02-L815A49采用了低电感、紧凑型的flow 1B封装,模块尺寸为72mm x 36mm x 17mm,具有用于厚膜设计的陶瓷基板,基板隔离材料为Al2O3


20-1B06IPB010RC02-L815A49采用的拓扑结构为IPM (CIP/PIM+PFC),针对高达150kHz的PFC频率进行了优化,集成了PFC控制器电路,可编程直流输出电压和PWM频率;具备逆变器栅极驱动电路,包括用于高压侧电源的自举电路;开路发射极配置或者发射极分流器的使用进一步优化了模块的开关性能;过流和短路保护功能为模块的可靠性和稳定性提供了保障;此外,集成的温度传感器和直流电容器简化了器件温度保护电路的设计。


 

图2 20-1B06IPB010RC02-L815A49拓扑结构图


该款功率模块采用的芯片技术为IGBT RC,实现了优化的集电极发射极饱和电压和正向电压,在25℃温度条件下,PFC开关的集电极发射极饱和电压典型值仅为1.28V,输入整流器二极管的正向电压更是低至1.04V,为模块带来了低导通损耗;IGBT RC提供反向导通IGBT技术,具备平滑的开关性能,带来了低EMI水平。


20-1B06IPB010RC02-L815A49产品特性:

·CIP拓扑(转换器+逆变器+PFC)

·针对高达150kHz的PFC频率进行了优化

·集成PFC控制器电路

·逆变器栅极驱动电路,包括用于高压侧电源的自举电路

·过流和短路保护

·开路发射极或发射极分流器

·温度传感器

·集成直流电容器

·IGBT RC芯片技术

·低电感、紧凑型的flow 1B封装


20-1B06IPB010RC02-L815A49应用领域:

·嵌入式驱动

·工业驱动