高特微半导体有限公司推出的GESD0801M是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS），旨在为数据，控制或电源线提供静电放电（ESD）保护。 GESD0801M的典型电容仅为12pF，旨在保护寄生敏感系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000-4-2（ESD），4级（±15kV空气，±8kV接触放电），IEC 61000-4-4（电快速瞬变 -  EFT）（40A，5/50 ns），快速元件充电模式（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等。

图1内部结构功能图

GESD0801M采用超小型DFN1006封装。每个GESD0801M器件都可以保护一条数据线。它为系统设计人员提供了灵活性，可以空间受限下条件保护单一数据线。

GESD0801M运行温度-55~125℃。

GESD0801M 大反向工作电压VRWM为5.0V,反向击穿电压 小值VBR=5.5V,Ipp为1A，tp=8 / 20μs时， 大钳位电压范围为10V。

低电容瞬态电压抑制器特征

·高速数据线的瞬态保护

    ·IEC 61000-4-2（ESD）±15kV（空气放电） ±8kV（接触放电）

    ·IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50 ns）

    ·电缆放电事件（CDE）

·针对高速线路优化的封装

·超小封装（1.0mmx0.6mmx0.4mm）

·保护一个数据，控制或电源线

·低电容：12pF（典型值）

·低漏电流：100nA @ VRWM（典型值）

·低钳位电压

·每个I / O引脚可承受超过1000次ESD冲击，可实现±8kV接触放电

低电容瞬态电压抑制器机械数据

·DFN1006封装

·阻燃等级：UL 94V-0

·包装：卷带包装

·高温焊接条件：260°C / 10s

·卷尺寸：7英寸

低电容瞬态电压抑制器订购信息

·名称：GESD0801M

·封装：DFN1006

·标记：FM（F表示部件号; M表示日期代码，即三年内的装配月份，更改为（1~9,0，A~Z））

·材质：无卤素

·装：卷带包装

·每卷数量：10,000pcs

低电容TVS保护二极管应用

·便携电子

·桌面，服务器和笔记本电脑

·手机

·MP3端口

·数字端口

·用户识别模块（SIM）卡