无锡紫光微电子公司推出了N沟道MOSFET TMA5N100H,TMP5N100H，漏源电压为1000V，漏极持续电流为5A，TMA5N100H耗散功率为34W (TC=25℃)，TMP5N100H耗散功率为105W (TC=25℃)，TMA5N100H采用TO-220F封装，TMP5N100H采用TO-220封装。

图1 TMA5N100H,TMP5N100H的实物图、封装形式和内部电路

产品特性：

●  快速开关

●  100%雪崩测试

●  改进的dv/dt能力

应用场合：

● 开关电源（SMPS）

● 不间断电源（UPS）

● 功率因数校正(PFC)

TMA5N100H,TMP5N100H的 大额定值参数(TC=25℃，除非特殊说明)

TMA5N100H,TMP5N100H的电气特性(T_J=25℃，除非特殊说明)：

Notes

1. 重复额定值：脉冲宽度受 高结温限制

2. I_AS = 7A, V_DD = 50V, R_G = 25 Ω, 开始时 T_J = 25 oC

3. 脉冲测试: 脉冲宽度 ≤ 300μs, 占空比 ≤ 1%