创瑞科技(AiT)推出的TBSS123为汽车级MOSFET，其中TBSS123-A满足AEC-Q101，采用SOT-23封装，结温和储存温度范围均宽至-55°C～+150°C，漏源电压100Vdc，漏极直流电流为0.17Adc，可很好应用于汽车领域。

其他参数特性：

栅极-源极电压（连续）±20Vdc

栅极-源极电压（非重复、tp≤50μs）为±40Vpk

环境温度下的热阻为556°C/W，温度特性 。

输入输出电容典型值分别为20pF和9.0pF

反向传输电容典型值4.0pF（@VDS=25Vdc，VGS=0，f=1.0MHz）

此外，TBSS123具有快速响应能力，开机延迟时间和断开延迟时间典型值分别为20ns和40ns（@Vcc=30Vdc，Ic=0.28Adc，VGS=10Vdc,RGS=50Ω），可在接收指令后迅速动作。

特点：

汽车级

AEC-Q101，满足客户要求

采用SOT-23封装

应用：

汽车