SLP7N80C、SLF7N80C这两款800V N沟道功率MOSFET，采用了美浦森（Maplesemi）先进的平面条纹DMOS技术，该技术专为降低导通电阻、提供出色的开关性能而开发，可承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。

SLP7N80C、SLF7N80C的栅极电荷低，典型值仅40nC，开关速度快， 大漏源导通电阻为1.9Ω（@V_GS=10V），非常适合低压应用，如便携式和电池供电产品中的DC/DC转换器、电源管理的高效转换应用。

特点

· 连续漏极电流（T_C=25℃）：7.0A

   漏源电压：800V

   静态漏源导通电阻 大值：1.9Ω@V_GS=10V

· 低栅极电荷（典型值40nC）

· 高鲁棒性

· 开关速度快

· 100%雪崩测试

· 提高的dv/dt能力

封装和电路图

极限值（T_C=25℃，除非另有说明）