制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IRF7862TRPBF

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET?

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel? 得捷定制卷带

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

21A（Ta）

驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）

3.7 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）

2.35V @ 100μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）

45 nC @ 4.5 V

Vgs（zui大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）

4090 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（zui大值）

2.5W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SO

封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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