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晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET IRF3205PBF
发布时间： 2023/8/4 10:03:37 | 79 次阅读
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRF3205PBF
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
110A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小
Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）
8 毫欧 @ 62A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）
146 nC @ 10 V
Vgs（zui大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）
3247 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（zui大值）
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3