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晶体管 FET,MOSFET 单 FET,MOSFET FDN306P
发布时间: 2023/8/17 14:18:54 | 95 次阅读
制造商
onsemi
制造商产品编号
FDN306P
制造商
onsemi
系列
PowerTrench?
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A(Ta)
驱动电压(zui大 Rds On,zui小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(zui大值)
40 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(zui大值)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(zui大值)
17 nC @ 4.5 V
Vgs(zui大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(zui大值)
1138 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散(zui大值)
500mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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