制造商

onsemi

制造商产品编号

NTGD4167CT1G

制造商

onsemi

系列

-

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel? 得捷定制卷带

产品状态

在售

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压（Vdss）

30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.6A，1.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）

90 毫欧 @ 2.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）

1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）

5.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）

295pF @ 15V

功率 - zui大值

900mW

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装

6-TSOP

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