NAND闪存：K9K8G08U0D-SCB0_深圳市昴泽电子有限公司

企业信息

深圳市昴泽电子有限公司

卖家积分： 6001分-7000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

企业网站：
http://www.mouser-sz.com.cn/

产品分类

NAND闪存：K9K8G08U0D-SCB0

型号/规格：

K9K8G08U0D-SCB0

品牌/商标：

SAMSUNG

封装：

TSSOP

批号：

2020+

询价

产品信息

NAND闪存：K9K8G08U0D-SCB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
封装：TSSOP
压摆率：0.03 mA
电源电压（Vsup）：3.6 V
电源电压（Vsup）：2.7 V
标称电源电压（Vsup）：3.3 V

NAND闪存：K9K8G08U0D-SCB0功能特征：
•电源
-3.3V器件（K9F4G08U0D）：2.7V〜3.6V
•组织
-存储单元阵列：（512M + 16M）x 8位
-数据寄存器：（2K + 64）x 8位
•自动编程和擦除
-页面程序：（2K + 64）Byte
-块擦除：（128K + 4K）Byte
•页面读取操作
-页面大小：（2K + 64）Byte
-随机读取：25μs（）
-串行访问：25ns（）
•快速的写入周期时间
-页面编程时间：250μs（Typ。）
-块擦除时间：2ms（Typ。）
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
-电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
-ECC要求：1bit / 528Byte
•命令寄存器操作
•版权保护的ID
•包装：
-K9F4G08U0D-SCB0 / SIB0：无铅，无卤素包装
48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9K8G08U0D-SCB0 / SIB0：无铅，无卤素包装
48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9K8G08U1D-SCB0 / SIB0：无铅，无卤素包装
48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9WAG08U1D-SCB0 / SIB0：无铅，无卤素封装
48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）

NAND闪存：有效块：

NAND闪存：测试条件：

昴泽（深圳）实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作，提供直接的货源、减少产品的流通环节，降低运营成本。目前主要经营：TI（德州仪器）、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、INFINEON（英飞凌）、IR（国际整流器）、ON（安森美）、MPS（芯源半导体）、等等。

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优势库存(3000)

普通库存(500000)

集成电路(IC)(3131)

电源IC(1834)

半导体存储器(8)

传感器(25)

光电子/光纤/激光(1)

NAND闪存：K9K8G08U0D-SCB0

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