NAND闪存：K9WAG08U1M-PIB0_深圳市昴泽电子有限公司

企业信息

深圳市昴泽电子有限公司

卖家积分： 6001分-7000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

企业网站：
http://www.mouser-sz.com.cn/

产品分类

NAND闪存：K9WAG08U1M-PIB0

型号/规格：

K9WAG08U1M-PIB0

品牌/商标：

SAMSUNG

封装：

TSOP

批号：

2020+

询价

产品信息

NAND闪存：K9WAG08U1M-PIB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
封装：TSOP
工作温度：85 °C
工作温度：-40 °C
座面高度：1.2 mm
电源电压（Vsup）：3.6 V
电源电压（Vsup）：2.7 V
标称电源电压（Vsup）：3.3 V
长度：18.4 mm

NAND闪存：K9WAG08U1M-PIB0功能特征：
•电源
-2.70V〜3.60V
•组织
-存储单元阵列：（1G + 32M）x 8位
-数据寄存器：（2K + 64）x 8位
•自动编程和擦除
-页面程序：（2K + 64）Byte
-块擦除：（128K + 4K）Byte
•页面读取操作
-页面大小：（2K + 64）Byte
-随机读取：20μs（）
-串行访问：25ns（）
* K9NBG08U5M：50ns（）
•快速的写入周期时间
-页面编程时间：200μs（典型值）
-块擦除时间：1.5ms（Typ。）
1G x 8位/ 2G x 8位/ 4G x 8位NAND闪存
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
-电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
-耐久性：100K编程/擦除周期（具有1bit / 512Byte ECC）
-资料保留时间：10年
•命令驱动操作
•具有内部1bit / 528Byte EDC的智能回写
•版权保护的ID
•包装：
-K9K8G08U0M-YCB0 / YIB0
48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9K8G08U0M-PCB0 / PIB0：无铅封装
48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9WAG08U1M-YCB0 / YIB0
48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9WAG08U1M-PCB0 / PIB0：无铅封装
48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9WAG08U1M-ICB0 / IIB0
52-TLGA引脚（12 x 17 / 1.0 mm间距）
-K9NBG08U5M-PCB0 / PIB0：无铅封装
48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）

NAND闪存：包装尺寸：

昴泽（深圳）实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作，提供直接的货源、减少产品的流通环节，降低运营成本。目前主要经营：TI（德州仪器）、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、INFINEON（英飞凌）、IR（国际整流器）、ON（安森美）、MPS（芯源半导体）、等等。

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优势库存(3000)

普通库存(500000)

集成电路(IC)(3131)

电源IC(1834)

半导体存储器(8)

传感器(25)

光电子/光纤/激光(1)

NAND闪存：K9WAG08U1M-PIB0

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