深圳市昴泽电子有限公司

IPW60R041C6FKSA1  Infineon  单个

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IPW60R041C6FKSA1

IPW60R041C6FKSA1  Infineon  单个

零件状态不适用于新设计

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)77.5A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）41 毫欧 @ 44.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）3.5V @ 2.96mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）290 nC @ 10 V

Vgs（大值）±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）6530 pF @ 10 V

FET 功能-

功率耗散（大值）481W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装PG-TO247-3-1

封装/外壳TO-247-3

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