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NVMFS5C430NLAFT1G onsemi 单个
制造商
onsemi
制造商产品编号
NVMFS5C430NLAFT1G
包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)38A（Ta），200A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds
On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）1.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）70 nC @ 10 V
Vgs（大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）4300 pF @ 20 V
FET 功能-
功率耗散（大值）3.8W（Ta），110W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳8-PowerTDFN，5 引线
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