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STW48N60DM2 STMicroelectronics
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STW48N60DM2
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）79 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）70 nC @ 10 V
Vgs（大值）±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）3250 pF @ 100 V
FET 功能-
功率耗散（大值）300W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3
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