相关证件: 
会员类型:
会员年限:4年
ALD114935PAL Advanced 阵列
制造商
Advanced Linear Devices Inc.
制造商产品编号
ALD114935PAL
包装管件
零件状态在售
FET 类型2 N 沟道(双)配对
FET 功能耗尽模式
漏源电压(Vdss)10.6V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12mA,3mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)540 欧姆 @ 0V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)3.45V @ 1μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)2.5pF @ 5V
功率 - 大值500mW
工作温度0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装8-PDIP
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