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IRFB4110PBF Infineon 单个
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRFB4110PBF
包装管件
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds
On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）4.5 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4V @ 250μA
Vgs（大值）±20V
FET 功能-
功率耗散（大值）370W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3
漏源电压（Vdss）100 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）210 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）9620 pF @ 50 V
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