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单个 Infineon IPS70R950CEAKMA1
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPS70R950CEAKMA1
包装散装
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.4A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds
On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）950 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）3.5V @ 150μA
Vgs（大值）±20V
FET 功能超级结
功率耗散（大值）68W（Tc）
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO251
封装/外壳TO-251-3 短截引线，IPak
漏源电压（Vdss）700 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）15.3 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）328 pF @ 100 V
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