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STMicroelectronics STB28N65M2
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STB28N65M2
包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds
On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）180 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4V @ 250μA
Vgs（大值）±25V
FET 功能-
功率耗散（大值）170W（Tc）
工作温度150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装D2PAK
封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
漏源电压（Vdss）650 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）35 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1440 pF @ 100 V
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