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会员年限:4年
晶体管 Diodes DMP10H400SEQ-13
制造商
Diodes Incorporated
制造商产品编号
DMP10H400SEQ-13
包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel®
零件状态在售
FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.3A(Ta),6A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds
On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)250 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)3V @ 250μA
Vgs(大值)±20V
FET 功能-
功率耗散(大值)2W(Ta),13.7W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-223-3
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
漏源电压(Vdss)100 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)17.5 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)1239 pF @ 25 V
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