深圳市昴泽电子有限公司

2SK3078A(TE12L,F)  Toshiba  晶体管

制造商编号：

2SK3078A(TE12L,F)

制造商：

Toshiba

2SK3078A(TE12L,F)  Toshiba  晶体管

晶体管极性:   N-Channel   

技术:      Si    

Id-连续漏极电流:  500 mA 

Vds-漏源极击穿电压:  10 V

工作频率:      470 MHz

增益:      8 dB

安装风格:      SMD/SMT     

封装 / 箱体:  PW-Mini-3   

封装:      Reel

封装:      Cut Tape

封装:      MouseReel    

商标:      Toshiba 

配置:      Single    

Pd-功率耗散: 3 W

产品类型:      RF MOSFET Transistors

系列:      2SK3078 

工厂包装数量:      1000      

子类别:   MOSFETs      

类型:      RF Power MOSFET

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V 

Vgs th-栅源极阈值电压:      1.2 V     

单位重量:      50 mg

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