深圳市昴泽电子有限公司

NGTB40N120SWG  onsemi 单

制造商

onsemi

制造商产品编号

NGTB40N120SWG

NGTB40N120SWG  onsemi 单

包装管件

零件状态停产

IGBT 类型沟道

电压 - 集射极击穿（大值）1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（大值）80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（大值）2.4V @ 15V，40A

功率 - 大值535 W

开关能量3.4mJ（开），1.1mJ（关）

输入类型标准

栅极电荷313 nC

25°C 时 Td（开/关）值116ns/286ns

测试条件600V，40A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)240 ns

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

封装/外壳TO-247-3

供应商器件封装TO-247-3

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