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500mW硅外延平面型齐纳二极管BZT52C系列,齐纳击穿电压范围2.4V~75V
发布时间: 2022/1/18 15:32:52 | 106 次阅读
辰达行推出的齐纳二极管BZT52C2V0~BZT52C75系列,齐纳反向电压范围宽至2V~75V,外壳采用JEDEC SOD-123模压塑料,重量约为0.016g。此外,还有优良的电气特性,其 大总功耗为500mW,在IF=10mA的条件下,正向电压的极限值为0.9V,是电子电气工程师在相关的应用的良好的选择。
图1 产品图片
产品特性
总功耗: 大500mW
齐纳反向电压范围:2.0V至75V
小型塑封,适合表面安装设计
公差约±5%
机械数据
外壳:JEDEC SOD-123模压塑料
镀锡,可焊接,符合MIL-STD-750,2026方法
极性:根据极性符号标记
安装位置:任何
重量:0.00056盎司,0.016克