AM2302是AiT推出的N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术，可提供出色的R_{DS（ON）、}低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。在环境温度为 25℃时，AM2302可以承受的极限漏源电压为20V，极限栅源电压为±10V，可以承受的极限漏极连续电流为2.9A，总功率耗散为1W，结温和储存温度范围为-55℃~150℃，结到环境的热阻为125℃/W；在V_DS=10V,V_GS=0V, f=1.0MHz时，AM2302的输入电容为300pF，输出电容为120pF。AM2302采用SOT-23S封装，适合用于电池保护或其他开关应用，其引脚分布如图1所示，

图1 AM2302引脚分布

AM2302产品特性

·V_DS =20V,I_D =2.9A

  V_GS=2.5V时，R_DS(ON) <59mΩ

  V_GS=4.5V时，R_DS(ON) <45mΩ

·高功率和 的载流能力

·表面贴装封装

·采用SOT-23S封装

AM2302应用领域

·电池保护

·负载开关

·电源管理